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      Hot News / 熱點新聞
      2021 - 12 - 13
      點擊次數: 14
      本文主要說說陶瓷和氧化鋁有什么區別?各自是怎么構造和形成的?  氧化鋁陶瓷屬于特種陶瓷中的一種,AI2O3含量為90%以上,通過粉末成型燒結技術制造成各種陶瓷結構件,氧化鋁陶瓷具備高硬度抗耐磨與高熱輻射特性,能夠承受1700℃以上的高溫,通常被制作為精細結構陶瓷應用于電子、機械、化工、冶金、汽車、能源、電氣等行業?! ∑胀ㄌ沾梢蕴烊徽惩翞樵现苽涑尚蜔频母鞣N陶瓷制品,粗陶、 細陶、炻器、半瓷器、...
      2021 - 12 - 13
      點擊次數: 525
      本文主要說說氮化硼陶瓷是什么材料?有什么特性和應用?  說起陶瓷,一般人都會認為這個易碎物品,其實并不是全是的這樣。如果陶瓷加入其他添加劑“氮化硼”等,就能生產出超硬的氮化硼陶瓷,并且耐高溫、耐磨損,是一種非常好散熱材料和高溫絕緣材料。所以氮化硼陶瓷就是這么由來的!氮化硼陶瓷生產廠家的小編今天就來跟大家一起來了解了解氮化硼陶瓷的優點和用途各是什么!  氮化硼陶瓷是六方氮化硼,BN,它有白色石墨之稱...
      2021 - 12 - 13
      點擊次數: 3637
      本文主要說說碳化硅陶瓷性能特點,及其應用價值  21世紀,隨著科學技術的發展,信息、能源、材料、生物工程已經成為當今社會生產力發展的四大支柱,碳化硅由于化學性能穩定、導熱系數高、熱膨脹系數小、密度小、耐磨性能好、硬度大、機械強度高、耐化學腐蝕等特點,在材料領域發展迅速,普遍用于陶瓷球軸承、閥門、半導體材料、陀螺、測量儀、航空航天等領域?! √蓟杼沾墒菑?0世紀60年代開始發展起來的,之前碳化硅主...
      2021 - 12 - 13
      點擊次數: 664
      本文主要是說說氮化鋁陶瓷加工技術為什么這么難?  1、基于較高的體積電阻率、絕緣強度、熱導率、較低的熱膨脹系數和介電常數,可用于:大功率半導體器件的絕緣基片、大規模和超大規模集成電路的散熱片和封裝基片?! ?、基于高聲波傳導速度特性,也用于:高頻信息處理機中的表面波器件?! ?、基于高耐火性及高溫化學穩定性,可用于:制作在1300-2000℃下工作的坩堝?! ∧敲吹X陶瓷基板為什么這么難加工呢?...
      2021 - 12 - 13
      點擊次數: 6556
      本文主要是說說氧化鋁陶瓷材料性能與屬性,及其優缺點  氧化鋁陶瓷分為高純型與普通型兩種?! 「呒冃脱趸X陶瓷系Al2O3含量在99.9%以上的陶瓷材料,由于其燒結溫度高達1650—1990℃,透射波長為1~6μm,一般制成熔融玻璃以取代鉑坩堝;利用其透光性及可耐堿金屬腐蝕性用作鈉燈管;在電子工業中可用作集成電路基板與高頻絕緣材料?! ∑胀ㄐ脱趸X陶瓷系按Al2O3含量不同分為99瓷、95瓷、90瓷...
      2021 - 12 - 11
      點擊次數: 6544
      本文主要說說氧化鋯和氧化鋁陶瓷特性,和其優缺點  優點:質輕、易于加工,不耐磨,不耐油。 優點:輕便、彈性好、柔韌好、不易皺,有著極好的著色性、適于各種氣候。 缺點:易吸水、不易腐蝕不利環保、易臟?! ⊙趸?,又稱二氧化鋯(ZrO2),是一種耐高溫、耐腐蝕、耐磨損而且具有優良導電性能的無機非金屬材料,ZrO2除傳統應用于耐火材料和陶瓷顏料外,還應用于在電子陶瓷、功能陶瓷和結構陶瓷等高科技領域。氧化...
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      氮化硅陶瓷簡介:氮化硅陶瓷是一種超硬物質,本身具有潤滑性,并且耐磨損;除氫氟酸外,它不與其他無機酸反應(反應方程式:Si3N4+4HF+9H2O=====3H2SiO3(沉淀)+4NH4F),抗腐蝕能力強,高溫時抗氧化。而且它還能抵抗冷熱沖擊,在空氣中加熱到1 000℃以上,急劇冷卻再急劇加熱,也不會碎裂。正是由于氮化硅陶瓷具有如此優異的特性,人們常常利用它來制造軸承、氣輪機葉片、機械密封環、永久性模具等機械構件。如果用耐高溫而且不易傳熱的氮化硅陶瓷來制造發動機部件的受熱面,不僅可以提高柴油機質量,節省燃料,而且能夠提高熱效率。氮化硅陶瓷可做燃氣輪機的燃燒室、氮化硅機械密封環(氮化硅環)、輸送鋁液的電磁泵的管道(氮化硅管)及閥門、永久性模具、鋼水分離環等。       Si3N4 陶瓷是一種共價鍵化合物,基本結別位于四面體的四個頂點構單元為[ SiN4 ]四面體,硅原子位于四面體的中心,在其周圍有四個氮原子,分,然后以每三個四面體共用一個原子的形式,在三維空間形成連續而又堅固的網絡結構。氮化硅的很多性能都歸結于此結構。純Si3N4為3119,有α和β兩種晶體結構,均為六角晶形,其分解溫度在空氣中為1800℃,在011MPa氮中為1850℃。Si3N4 熱膨脹系數低、導熱率高,故其耐熱沖擊性極佳。熱壓燒結的氮化硅加熱到l000℃后投入冷水中也不會破裂。在不太高的溫度下,Si3N4 具有較高的強度和抗沖擊性,但在1200℃以上會隨使用時間的增長而出現破損,使其強度降低,在1450℃以上更易出現疲勞損壞,所以Si3N4 的使用溫度一般不超過1300℃。由于Si3N4 的理論密度低,比鋼和工程超耐熱合金鋼輕得多,所以,在那些要求材料具有高強度、低密度、耐高溫等性質的地方用Si3N4 陶瓷去代替合金鋼是再合適不過了。氮化硅陶瓷的特點:...
      氮化硅陶瓷簡介:氮化硅陶瓷是一種超硬物質,本身具有潤滑性,并且耐磨損;除氫氟酸外,它不與其他無機酸反應(反應方程式:Si3N4+4HF+9H2O=====3H2SiO3(沉淀)+4NH4F),抗腐蝕能力強,高溫時抗氧化。而且它還能抵抗冷熱沖擊,在空氣中加熱到1 000℃以上,急劇冷卻再急劇加熱,也不會碎裂。正是由于氮化硅陶瓷具有如此優異的特性,人們常常利用它來制造軸承、氣輪機葉片、機械密封環、永久性模具等機械構件。如果用耐高溫而且不易傳熱的氮化硅陶瓷來制造發動機部件的受熱面,不僅可以提高柴油機質量,節省燃料,而且能夠提高熱效率。氮化硅陶瓷可做燃氣輪機的燃燒室、氮化硅機械密封環(氮化硅環)、輸送鋁液的電磁泵的管道(氮化硅管)及閥門、永久性模具、鋼水分離環等。Si3N4 陶瓷是一種共價鍵化合物,基本結構單元為[ SiN4 ]四面體,硅原子位于四面體的中心,在其周圍有四個氮原子,分別位于四面體的四個頂點,然后以每三個四面體共用一個原子的形式,在三維空間形成連續而又堅固的網絡結構。氮化硅的很多性能都歸結于此結構。純Si3N4為3119,有α和β兩種晶體結構,均為六角晶形,其分解溫度在空氣中為1800℃,在011MPa氮中為1850℃。Si3N4 熱膨脹系數低、導熱率高,故其耐熱沖擊性極佳。熱壓燒結的氮化硅加熱到l000℃后投入冷水中也不會破裂。在不太高的溫度下,Si3N4 具有較高的強度和抗沖擊性,但在1200℃以上會隨使用時間的增長而出現破損,使其強度降低,在1450℃以上更易出現疲勞損壞,所以Si3N4 的使用溫度一般不超過1300℃。由于Si3N4 的理論密度低,比鋼和工程超耐熱合金鋼輕得多,所以,在那些要求材料具有高強度、低密度、耐高溫等性質的地方用Si3N4 陶瓷去代替合金鋼是再合適不過了。氮化硅陶瓷的特點:1、硬度高,耐磨性好,熱導率小,化學穩定性好、耐腐蝕性高2、高耐...
      氮化硅陶瓷簡介:氮化硅為原料制備氣壓燒結結構件陶瓷的方法,它包括混料、壓制、冷等靜壓、燒結以及后加工的步驟,陶瓷原料以重量百分比計,包括如下組分:Si3N4:80-90%,Y2O3:6-14%,α相Al2O3:1-5%,WC:1-5%,TiC:1-5%。該制備方法步驟簡單、方便易行,制備工藝穩定,生產效率高,利用該方法制備的結構件陶瓷的硬度大、強度高,并且具有較高的耐高溫性能、耐高電壓沖擊性能以及耐彎曲性能,可廣泛用于材料要求高的領域。氣壓燒結法(GPS)近幾年來,人們對氣壓燒結進行了大量的研究,獲得了很大的進展。氣壓燒結氮化硅在1 ~10MPa氣壓下,2000℃左右溫度下進行。高的氮氣壓抑制了氮化硅的高溫分解。由于采用高溫燒結,在添加較少燒結助劑情況下,也足以促進Si3N4晶粒生長,而獲得密度 99%的含有原位生長的長柱狀晶粒高韌性陶瓷. 因此氣壓燒結無論在實驗室還是在生產上都得到越來越大的重視. 氣壓燒結氮化硅陶瓷具有高韌性、高強度和好的耐磨性,可直接制取接近最終形狀的各種復雜形狀制品,從而可大幅度降低生產成本和加工費用. 而且其生產工藝接近于硬質合金生產工藝,適用于大規模生產。氮化硅陶瓷的特點:1、硬度高,耐磨性好,熱導率小,化學穩定性好、耐腐蝕性高2、高耐火性,最高熔點1900℃3、良好的化學穩定性,高溫時能抗酸性腐蝕4、強度大,耐磨,化學穩定性好,生物相容性好,密度高5、是一種耐高溫、耐磨損、耐腐蝕的無機非金屬材料,熔點高達攝氏度,是自然界中耐火性能最好的材料之一氣壓燒結氮化硅陶瓷性能參數:顏色:淺灰色室溫抗折強度:800-900Mpa。室溫斷裂韌性:6.0-7.0Mpa.m1/2體積密度 : 3.20-3.25g/cm3         室溫體積電阻率 : 1014Ω.cm...
      氮化硅陶瓷簡介:氮化硅為原料制備氣壓燒結結構件陶瓷的方法,它包括混料、壓制、冷等靜壓、燒結以及后加工的步驟,陶瓷原料以重量百分比計,包括如下組分:Si3N4:80-90%,Y2O3:6-14%,α相Al2O3:1-5%,WC:1-5%,TiC:1-5%。該制備方法步驟簡單、方便易行,制備工藝穩定,生產效率高,利用該方法制備的結構件陶瓷的硬度大、強度高,并且具有較高的耐高溫性能、耐高電壓沖擊性能以及耐彎曲性能,可廣泛用于材料要求高的領域。氣壓燒結法(GPS)近幾年來,人們對氣壓燒結進行了大量的研究,獲得了很大的進展。氣壓燒結氮化硅在1 ~10MPa氣壓下,2000℃左右溫度下進行。高的氮氣壓抑制了氮化硅的高溫分解。由于采用高溫燒結,在添加較少燒結助劑情況下,也足以促進Si3N4晶粒生長,而獲得密度 99%的含有原位生長的長柱狀晶粒高韌性陶瓷. 因此氣壓燒結無論在實驗室還是在生產上都得到越來越大的重視. 氣壓燒結氮化硅陶瓷具有高韌性、高強度和好的耐磨性,可直接制取接近最終形狀的各種復雜形狀制品,從而可大幅度降低生產成本和加工費用. 而且其生產工藝接近于硬質合金生產工藝,適用于大規模生產。氮化硅陶瓷的特點:1、硬度高,耐磨性好,熱導率小,化學穩定性好、耐腐蝕性高2、高耐火性,最高熔點1900℃3、良好的化學穩定性,高溫時能抗酸性腐蝕4、強度大,耐磨,化學穩定性好,生物相容性好,密度高5、是一種耐高溫、耐磨損、耐腐蝕的無機非金屬材料,熔點高達攝氏度,是自然界中耐火性能最好的材料之一氣壓燒結氮化硅陶瓷性能參數:顏色:淺灰色室溫抗折強度:800-900Mpa。室溫斷裂韌性:6.0-7.0Mpa.m1/2體積密度 : 3.20-3.25g/cm3         室溫體積電阻率 : 1014Ω.cm...
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